Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0516U000382, Докторська дисертація На здобуття д.т.н. Дата захисту 28-04-2016 Статус Запланована Назва роботи Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки Здобувач Притчин Сергій Емільович, Керівник Оксанич Анатолій Петрович Опонент Ковтун Геннадий Прокопович Опонент Конакова Раїса Василівна Опонент Єрохов Валерий Юрьевич Опонент Филипенко Олександр Іванович Опис Дисертація присвячена вирішенню актуальної науково-практичної проблеми - підвищенню якості підкладок GaAs шляхом розробки нової технології виготовлення підкладок, удосконалення математичних моделей, удосконалення методик, методів і пристроїв неруйнівного контролю якості підкладок у промислових умовах. За результатами математичного моделювання уточнено дані про значення механічних властивостей підкладок GaAs у довільних кристалографічних напрямках, визначено вплив величини залишкових напружень на константи пружності с11, с12, с44. Визначені умови, за яких забезпечується механічна стійкість підкладки GaAs при впливі на неї залишкових напруг. У роботі розроблено низку методик, пристроїв та удосконалено методи, зокрема: - методика, пристрій "Полярон - 4" та удосконалено метод неруйнівного контролю залишкових напружень у підкладках GaАs; - методика, пристрій "ТВ-Діслок 1" та удосконалено метод неруйнівного контролю густини дислокацій у підкладках GaАs; - методика, пристрій "АКІДП - 1" та удосконалено метод неруйнівного контролю відхилення від площинності підкладок GaАs. Розроблено пристрій контролю діаметра зливка в процесі його росту, який забезпечує точність контролю не менш ± 1.5 мм. Це дозволило за рахунок поліпшення роботи системи управління вирощуванням зменшити рівень залишкових напружень до значення менш ніж 40 МПа та густини дислокації менш ніж 1,3 х 105 см-2. Запропонована технологія виготовлення підкладок GaАs забезпечила підвищення якості підкладок GaАs, зокрема, зменшення рівня залишкових напружень на 10 %, зменшення щільності дислокацій на 12 %, зменшення відхилення від площинності підкладок не менш ніж на 20 % у порівнянні з існуючою технологією, що дозволяє збільшити відсоток виходу придатних приладів на 5-7 %. Дата реєстрації 2016-04-28 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація докторська
1
Притчин Сергій Емільович. Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки : д.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2016-04-28; Статус: Захищена; Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського. – , 0516U000382.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22