Search academic texts

Information × Registration Number 0516U000696, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 07-09-2016 popup.evolution o Title Modification of the physical properties of structures oxide/ silicon carbide. Author Okhrimenko Olga Borisovna, popup.head Konakova Raisa Vasilievna popup.opponent Уваров Віктор Миколайович popup.opponent Горбик Петро Петрович popup.opponent Поперенко Леонід Володимирович Description У дисертаційній роботі проведено дослідження основних закономірностей і фізичних механізмів перебудови дефектно-домішкової системи в структурах оксид/напівпровідник в залежності від технології отримання, складу оксидної плівки, додаткових обробок і введення буферних шарів. Запропоновано модель атермічного НВЧ впливу для пояснення механізму впливу НВЧ випромінювання на структури оксидна плівка/напівпровідник. Встановлено, що при формуванні структур SiC/por-SiC/TiO2 методом швидкого термічного відпалу (ШТО) має місце конкуренція двох процесів: 1) стабілізація стехіометричного складу оксиду титану 2) виникає фаза графіту в інтерфейсі por-SiC/TiO2, що погіршує якість межі розділу. Встановлено, що лазерний відпал можна використовувати для управління прозорістю багатошарових структур з тонкими плівками кремнію. Виявлено, що електронно-променева обробка (ЕПО) поряд з формуванням більш однорідного рельєфу поверхні SiC призводить також до появи в матеріалі додаткових центрів поглинання, пов'язаних з дислокаціями. Запропоновано модель, що пояснює вплив форм-фактора пор підкладки на розмір наночастинок, які формуються в порі. Registration Date 2016-09-07 popup.nrat_date 2020-04-03 Close