Добкторська дисертація. Охріменко Ольга Борисівна. Модифікація фізичних властивостей структур оксид/карбід кремнію.

Registration Number

0516U000696, Doctoral dissertation

Status

д.ф.-м.н.

Date

07-09-2016

popup.evolution

.

Title

Modification of the physical properties of structures oxide/ silicon carbide.

Author

Okhrimenko Olga Borisovna,

popup.head Konakova Raisa Vasilievna
popup.opponent Уваров Віктор Миколайович
popup.opponent Горбик Петро Петрович
popup.opponent Поперенко Леонід Володимирович

popup.rada

Institute of Semiconductor Physics

Description

У дисертаційній роботі проведено дослідження основних закономірностей і фізичних механізмів перебудови дефектно-домішкової системи в структурах оксид/напівпровідник в залежності від технології отримання, складу оксидної плівки, додаткових обробок і введення буферних шарів. Запропоновано модель атермічного НВЧ впливу для пояснення механізму впливу НВЧ випромінювання на структури оксидна плівка/напівпровідник. Встановлено, що при формуванні структур SiC/por-SiC/TiO2 методом швидкого термічного відпалу (ШТО) має місце конкуренція двох процесів: 1) стабілізація стехіометричного складу оксиду титану 2) виникає фаза графіту в інтерфейсі por-SiC/TiO2, що погіршує якість межі розділу. Встановлено, що лазерний відпал можна використовувати для управління прозорістю багатошарових структур з тонкими плівками кремнію. Виявлено, що електронно-променева обробка (ЕПО) поряд з формуванням більш однорідного рельєфу поверхні SiC призводить також до появи в матеріалі додаткових центрів поглинання, пов'язаних з дислокаціями. Запропоновано модель, що пояснює вплив форм-фактора пор підкладки на розмір наночастинок, які формуються в порі.

Registration Date

2016-09-14

popup.nrat_date

2020-04-03 / 2026-06-29