Search academic texts

Information × Registration Number 0518U000545, Doctoral dissertation Status Доктор фізико-математичних наук Date 16-05-2018 popup.evolution o Title Transport phenomena in AIIBVI and AIIIBV semiconductors based on short-range scattering models of charge carriers Author Malyk Orest Petrovych, Кандидат фізико-математичних наук popup.head Druzhynin Anatoliy Oleksandrovych popup.advisor Druzhynin Anatoliy Oleksandrovych popup.opponent Evtukh Anatoliy popup.opponent Maslyuk Volodymyr popup.opponent Kramar Valeriy Description Дисертація присвячена застосуванню принципу близькодії до опису процесів розсіяння носіїв заряду на дефектах кристалічної гратки. У разі розсіянні носія заряду на акустичному та неполярному оптичному фононах, нейтральному дефекті та потенціалі статичної деформації радіус дії близькодіючого потенціалу обмежений однією елементарною коміркою. У випадку розсіяння носія заряду на іонізованій домішці, полярному оптичному, п’єзоелектричних (п’єзоакустичному та п’єзооптичному) фононах радіус дії близькодіючого потенціалу шукали у вигляді R = γ a0 ( а0 – стала гратки, γ — відповідний підгінний параметр). Для розрахунку компонентів тензора провідності використано метод точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана. Розраховано температурну залежність рухливості носіїв заряду в кристалах CdxHg1-xTe (0≤x≤1), CdxHg1-xSe (0≤x≤0.547), ZnxCd1-xTe (0≤x≤1), ZnxHg1-xSe (0.02≤x≤1), ZnxHg1-xTe (x=0.15), ZnO, GaN, CdS, InN, InSb. Розглянуто вплив різних механізмів розсіяння на рухливість носія заряду. Виявлено добру узгодженість теорії та експерименту в всьому розглянутому інтервалі температур. Визначено параметри розсіяння γ для різних механізмів розсіяння. Registration Date 2018-05-16 popup.nrat_date 2020-04-03 Close