Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0518U000545, Докторська дисертація На здобуття Доктор фізико-математичних наук Дата захисту 16-05-2018 Статус Запланована Назва роботи Явища переносу в напівпровідниках AIIBVI та AIIІBV на основі близькодіючих моделей розсіяння носіїв заряду Здобувач Малик Орест Петрович, Кандидат фізико-математичних наук Керівник Дружинін Анатолій Олександрович Консультант Дружинін Анатолій Олександрович Опонент Євтух Анатолій Антонович Опонент Маслюк Володимир Трохимович Опонент Крамар Валерій Маскимович Опис Дисертація присвячена застосуванню принципу близькодії до опису процесів розсіяння носіїв заряду на дефектах кристалічної гратки. У разі розсіянні носія заряду на акустичному та неполярному оптичному фононах, нейтральному дефекті та потенціалі статичної деформації радіус дії близькодіючого потенціалу обмежений однією елементарною коміркою. У випадку розсіяння носія заряду на іонізованій домішці, полярному оптичному, п’єзоелектричних (п’єзоакустичному та п’єзооптичному) фононах радіус дії близькодіючого потенціалу шукали у вигляді R = γ a0 ( а0 – стала гратки, γ — відповідний підгінний параметр). Для розрахунку компонентів тензора провідності використано метод точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана. Розраховано температурну залежність рухливості носіїв заряду в кристалах CdxHg1-xTe (0≤x≤1), CdxHg1-xSe (0≤x≤0.547), ZnxCd1-xTe (0≤x≤1), ZnxHg1-xSe (0.02≤x≤1), ZnxHg1-xTe (x=0.15), ZnO, GaN, CdS, InN, InSb. Розглянуто вплив різних механізмів розсіяння на рухливість носія заряду. Виявлено добру узгодженість теорії та експерименту в всьому розглянутому інтервалі температур. Визначено параметри розсіяння γ для різних механізмів розсіяння. Дата реєстрації 2018-05-16 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити