Search academic texts

Information × Registration Number 0520U101648, Doctoral dissertation Status Доктор фізико-математичних наук Date 06-11-2020 popup.evolution o Title Electronic phenomena in planar and nanostructured surface-barrier structures based on silicon, silicon-containing and chalcogenide compounds. Author Solovan Mykhailo M, Кандидат технічних наук popup.head Maryanchuk Pavlo Dmytrovich popup.advisor Maryanchuk Pavlo Dmytrovich popup.opponent Yukhymchuk Volodymyr O. popup.opponent Peleshchak Roman Mykhailovych popup.opponent Myronchuk Halyna Leonidivna Description Дисертація присвячена дослідженню оптимальних умов виготовлення планарних і наноструктурованих гетеропереходів та діодів Шотткі з заданими і відтворюваними електричними та фотоелектричними властивостями; встановленню закономірностей протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах в залежності від особливостей конструкції і технологічних процесів. В дисертаційній роботі вперше виготовлено та досліджено на основі кремнію, на поверхні якого створені нанодроти, фоточутливі наноструктуровані гетероструктури МоОx/n-Si, МоN/n-Si, ТіN/p-Si, діоди Шотткі Nі/n-Si й Mo/n-Si, а на основі низькоомного CdTe гетеропереходи МоОx/n-CdTe(CdZnTe), а також виготовлено ряд детекторів ультрафіолетового випромінювання на основі SiC та детекторів X/γ-випромінювання на основі високоомного CdTe. Запропоновано модель, яка пояснює зростання послідовного опору та зміну концентрації легуючої домішки у базовій області кремнію з інтеркальованими наночастками срібла, а також запропоновані методи визначення активної площі наноструктурованих бар'єрних структур та концентрації нескомпенсованої домішки в напівізолюючому CdTe. Registration Date 2020-11-06 popup.nrat_date 2020-11-20 Close