Registration Number
0520U101648, Doctoral dissertation
Status
Доктор фізико-математичних наук
Date
06-11-2020
popup.evolution
.
Title
Electronic phenomena in planar and nanostructured surface-barrier structures based on silicon, silicon-containing and chalcogenide compounds.
Author
Solovan Mykhailo M, Кандидат технічних наук
popup.head Maryanchuk Pavlo Dmytrovich
popup.advisor Maryanchuk Pavlo Dmytrovich
popup.opponent Yukhymchuk Volodymyr O.
popup.opponent Peleshchak Roman Mykhailovych
popup.opponent Myronchuk Halyna Leonidivna
popup.rada
Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University
Description
Дисертація присвячена дослідженню оптимальних умов виготовлення планарних і наноструктурованих гетеропереходів та діодів Шотткі з заданими і відтворюваними електричними та фотоелектричними властивостями; встановленню закономірностей протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах в залежності від особливостей конструкції і технологічних процесів.
В дисертаційній роботі вперше виготовлено та досліджено на основі кремнію, на поверхні якого створені нанодроти, фоточутливі наноструктуровані гетероструктури МоОx/n-Si, МоN/n-Si, ТіN/p-Si, діоди Шотткі Nі/n-Si й Mo/n-Si, а на основі низькоомного CdTe гетеропереходи МоОx/n-CdTe(CdZnTe), а також виготовлено ряд детекторів ультрафіолетового випромінювання на основі SiC та детекторів X/γ-випромінювання на основі високоомного CdTe. Запропоновано модель, яка пояснює зростання послідовного опору та зміну концентрації легуючої домішки у базовій області кремнію з інтеркальованими наночастками срібла, а також запропоновані методи визначення активної площі наноструктурованих бар'єрних структур та концентрації нескомпенсованої домішки в напівізолюючому CdTe.
Registration Date
2020-11-20
popup.nrat_date
2020-11-20 / 2026-06-30
