Search academic texts

Information × Registration Number 0593U000191, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 30-03-1993 popup.evolution o Title Author Горбик Петр Петрович, popup.opponent Лысенко В.С. popup.opponent Глинчук М.Д. popup.opponent Фальченко В.М. Description Объект исследования: Структурно-неоднородные системы на основе высокотемпературных полупроводников, оксидов ванадия с фазовым переходом металл-полупроводник, фоточувствительных полупроводников типа А2В6. Цель исследования: Выявление условий формирования функциональных структурно-неоднородных систем, изучение закономерностей физических процессов, что в них происходят в условиях неравновесно-конденсированных состояний, фазовых нестабильностей, влияния внешних физических полей. Методы исследования и аппаратура: Электрические, фототоэлектрические, магнитные, теплофизические, акустические; рентгеновского фазового, структурного и спектрального анализа; сканирующей электронной микроскопии, электронной оже-спектроскопии, электрон-позитронной анигиляции, радиоактивных индикаторов. Теоретические результаты и новизна: Впервые разработано физическую модель гетероперходов рСu2S-nZnxCd1-xS; установлены закономерности дифузии в керамических высокотемпературных полупроводниках и влияния полимерной матрицы на параметры фазового перехода металл-полупроводник в дисперсном VО2; выявлены и исследованы эффекты взаимодействия высокотемпературных полупроводников с ультразвуком,. Практические результаты и новизна: Создано физические основы разработки фотоэлектрических приборов и покрытий с функциональными свойствами в сверчастотном диапазоне спектра на основе соединений типа А2В6, технологий получения и обработки высокотемпературной сверхпроводимой керамики с Тс=110 К, изготовление композиционных материалов типа полимер-наполнитель с функциональными свойствами е. Предмет и степень внедрения: Научные результаты диссертации, а также образцы разработанных материалов использовано при исследованиях в ИМФ АНУ, ИНМ АНУ, ИГХФМ АНУ, ЦБК "Арсенал", СКБ "Спектр", КДПИ. Сфера (область) использования: Полупроводниковая фотоэлектроника, сверхпроводниковая электроника, технология материалов электронной техники. Registration Date 1993-03-01 popup.nrat_date 2021-03-18 Close