Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0593U000191, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 30-03-1993 Статус Запланована Назва роботи Твердотелые структурно-неоднородные системы с функциональными свойствами Здобувач Горбик Петр Петрович, Опонент Лысенко В.С. Опонент Глинчук М.Д. Опонент Фальченко В.М. Опис Объект исследования: Структурно-неоднородные системы на основе высокотемпературных полупроводников, оксидов ванадия с фазовым переходом металл-полупроводник, фоточувствительных полупроводников типа А2В6. Цель исследования: Выявление условий формирования функциональных структурно-неоднородных систем, изучение закономерностей физических процессов, что в них происходят в условиях неравновесно-конденсированных состояний, фазовых нестабильностей, влияния внешних физических полей. Методы исследования и аппаратура: Электрические, фототоэлектрические, магнитные, теплофизические, акустические; рентгеновского фазового, структурного и спектрального анализа; сканирующей электронной микроскопии, электронной оже-спектроскопии, электрон-позитронной анигиляции, радиоактивных индикаторов. Теоретические результаты и новизна: Впервые разработано физическую модель гетероперходов рСu2S-nZnxCd1-xS; установлены закономерности дифузии в керамических высокотемпературных полупроводниках и влияния полимерной матрицы на параметры фазового перехода металл-полупроводник в дисперсном VО2; выявлены и исследованы эффекты взаимодействия высокотемпературных полупроводников с ультразвуком,. Практические результаты и новизна: Создано физические основы разработки фотоэлектрических приборов и покрытий с функциональными свойствами в сверчастотном диапазоне спектра на основе соединений типа А2В6, технологий получения и обработки высокотемпературной сверхпроводимой керамики с Тс=110 К, изготовление композиционных материалов типа полимер-наполнитель с функциональными свойствами е. Предмет и степень внедрения: Научные результаты диссертации, а также образцы разработанных материалов использовано при исследованиях в ИМФ АНУ, ИНМ АНУ, ИГХФМ АНУ, ЦБК "Арсенал", СКБ "Спектр", КДПИ. Сфера (область) использования: Полупроводниковая фотоэлектроника, сверхпроводниковая электроника, технология материалов электронной техники. Дата реєстрації 1993-03-01 Додано в НРАТ 2021-03-18 Закрити