Search academic texts

Registration Number

0821U101974, PhD dissertation

Title

Photoelectric properties of multilayer heterostructures based on InGaAs alloys

Author

Kozak Oleksii Oleksandrovych,

popup.head Kondratenko Serhii V.
popup.opponent Stronskyi Oleksandr Volodymyrovych
popup.opponent Mitsa Vladimir Michalovich
popup.review Kurilyuk Vasyl V.
popup.review Poperenko Leonid Volodymyrovych

Status

Доктор філософії, 104, Фізика та астрономія

Date

01-06-2021

Description

Ретельно вивчені механізмі фотопровідності (ФП), фотоелектрорушійної сили та впливу дефектних рівнів у квантовоточкових сонячних елементах (КТСЕ/QDSC). Досліджена роль глибинних шарів на фотоелектричні властивості вертикальних метаморфних InAs/In0.15Ga0.85As та псевдоморфних (звичайних) InAs/GaAs структур із квантовими точками. Зокрема у випадку електрично активної підкладки, метаморфна та псевдоморфна наноструктури продемонстрували біполярний сигнал фото електрорушійної сили (фотоЕРС). При наявності електрично неактивної підкладки у поєднанні з товстими буферами сильно пригнічує вплив фотоактивних глибинних рівнів, що виникають на інтерфейсах з підкладкою si-GaAs, на фотоелектричні властивості наноструктур. Показано що спектр електронних пасток метаморфних структур, зосереджених головним чином навколо квантових точок (КТ/QD), багатший, ніж у псевдоморфній структурі InGaAs/GaAs. Більшість дефектів були визначені як відомі комплекси точкових дефектів (ТД), пов'язаних з GaAs та інтерфейсами GaAs-In(Ga)As. Продемонстрована залежність густини дефектів у метаморфних InAs/InxGa1–xAs від x.