Search academic texts

Information × Registration Number 0821U101974, PhD dissertation Status Доктор філософії Date 01-06-2021 popup.evolution o Title Photoelectric properties of multilayer heterostructures based on InGaAs alloys Author Kozak Oleksii Oleksandrovych, popup.head Kondratenko Serhii V. popup.opponent Stronskyi Oleksandr Volodymyrovych popup.opponent Mitsa Vladimir Michalovich popup.review Kurilyuk Vasyl V. popup.review Poperenko Leonid Volodymyrovych Description Ретельно вивчені механізмі фотопровідності (ФП), фотоелектрорушійної сили та впливу дефектних рівнів у квантовоточкових сонячних елементах (КТСЕ/QDSC). Досліджена роль глибинних шарів на фотоелектричні властивості вертикальних метаморфних InAs/In0.15Ga0.85As та псевдоморфних (звичайних) InAs/GaAs структур із квантовими точками. Зокрема у випадку електрично активної підкладки, метаморфна та псевдоморфна наноструктури продемонстрували біполярний сигнал фото електрорушійної сили (фотоЕРС). При наявності електрично неактивної підкладки у поєднанні з товстими буферами сильно пригнічує вплив фотоактивних глибинних рівнів, що виникають на інтерфейсах з підкладкою si-GaAs, на фотоелектричні властивості наноструктур. Показано що спектр електронних пасток метаморфних структур, зосереджених головним чином навколо квантових точок (КТ/QD), багатший, ніж у псевдоморфній структурі InGaAs/GaAs. Більшість дефектів були визначені як відомі комплекси точкових дефектів (ТД), пов'язаних з GaAs та інтерфейсами GaAs-In(Ga)As. Продемонстрована залежність густини дефектів у метаморфних InAs/InxGa1–xAs від x. Registration Date 2021-06-30 popup.nrat_date 2021-06-30 Close