Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0821U101974, Дисертація доктора філософії На здобуття Доктор філософії Дата захисту 01-06-2021 Статус Запланована Назва роботи Фотоелектричні властивості багатошарових гетероструктур на основі сполук InGaAs Здобувач Козак Олексій Олександрович, Керівник Кондратенко Сергій Вікторович Опонент Стронський Олександр Володимирович Опонент Міца Володимир Михайлович Рецензент Курилюк Василь Васильович Рецензент Поперенко Леонід Володимирович Опис Ретельно вивчені механізмі фотопровідності (ФП), фотоелектрорушійної сили та впливу дефектних рівнів у квантовоточкових сонячних елементах (КТСЕ/QDSC). Досліджена роль глибинних шарів на фотоелектричні властивості вертикальних метаморфних InAs/In0.15Ga0.85As та псевдоморфних (звичайних) InAs/GaAs структур із квантовими точками. Зокрема у випадку електрично активної підкладки, метаморфна та псевдоморфна наноструктури продемонстрували біполярний сигнал фото електрорушійної сили (фотоЕРС). При наявності електрично неактивної підкладки у поєднанні з товстими буферами сильно пригнічує вплив фотоактивних глибинних рівнів, що виникають на інтерфейсах з підкладкою si-GaAs, на фотоелектричні властивості наноструктур. Показано що спектр електронних пасток метаморфних структур, зосереджених головним чином навколо квантових точок (КТ/QD), багатший, ніж у псевдоморфній структурі InGaAs/GaAs. Більшість дефектів були визначені як відомі комплекси точкових дефектів (ТД), пов'язаних з GaAs та інтерфейсами GaAs-In(Ga)As. Продемонстрована залежність густини дефектів у метаморфних InAs/InxGa1–xAs від x. Дата реєстрації 2021-06-30 Додано в НРАТ 2021-06-30 Закрити