Search academic texts

Information × Registration Number 2111U004343, Article popup.category Стаття, Опубліковано Title NOISE A model of field transistors to predict their performance at low-frequency noise levels (AI translated) popup.author Кичак Василь МартиновичМихалевський Дмитро ВалерійовичКрупський Олег ВолодимировичKychak Vasyl MartynovychMykhalevskyi Dmytro ValeriiovychKrupskyi Oleh Volodymyrovych popup.publication 09-09-2011 popup.source_user "Наукові праці Вінницького національного технічного університету" (Вінницький національний технічний університет) popup.source https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/176 popup.publisher Вінницький національний технічний університет Description У статті проаналізовано внутрішні шуми польових транзисторів, а також запропоновано шумову модель із врахуванням елементів схеми вмикання. Проведено дослідження залежності шумової напруги польового транзистора від режиму роботи та визначено області допустимих значень шумової напруги, в межах якої польовий транзистор є надійним. popup.nrat_date 2026-04-20 Close