Search academic texts

Information × Registration Number 2113U007106, Article popup.category Опубліковано, Стаття Title FEATURES OF FORMATION OF BIPOLAR TRANSISTOR FOR IС WITH DIELECTRIC ISOLATION OF ELEMENTS popup.author Горбань А.Н.Кравчина В.В.Gorban A. N.Kravchina V. V. popup.publication 15-06-2013 popup.source_user Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка") popup.source https://ric.zp.edu.ua/article/view/14732 popup.publisher National University "Zaporizhzhia Polytechnic" Description У роботі оптимізовані процеси селективної епітаксії шарів кремнію на структурах Si-SiO2-Si*, процеси формування діелектричної ізоляції і дифузійних областей комплементарних біполярних транзисторних структур. При формуванні повної діелектричної ізоляції елементів ІМС проводиться окислювання межі між епітаксійними шарами епімоно-Si і епі-Si*, розташованої під кутом 55° до поверхні. У цьому випадкуградієнт механічних напруг спрямований або до крайової області об’єму моно-Si або до об’єму шару епі-Si і утворення механічних напруг достатніх для генерації дефектів у шарі епімоно-Si не відбувається. При товщині епітаксійної плівки 3,0–4,0 мкм характеристики комплементарних транзисторів склали величини Uке >20 В и β ≥ 60. popup.nrat_date 2026-02-09 Close