Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U007106, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Опубліковано, Стаття Назва роботи ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ КОМПЛЕМЕНТАРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ ДЛЯ ІМС З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ ЕЛЕМЕНТІВ Автор Горбань А.Н.Кравчина В.В.Gorban A. N.Kravchina V. V. Дата публікації 15-06-2013 Постачальник інформації Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка") Першоджерело https://ric.zp.edu.ua/article/view/14732 Видання National University "Zaporizhzhia Polytechnic" Опис У роботі оптимізовані процеси селективної епітаксії шарів кремнію на структурах Si-SiO2-Si*, процеси формування діелектричної ізоляції і дифузійних областей комплементарних біполярних транзисторних структур. При формуванні повної діелектричної ізоляції елементів ІМС проводиться окислювання межі між епітаксійними шарами епімоно-Si і епі-Si*, розташованої під кутом 55° до поверхні. У цьому випадкуградієнт механічних напруг спрямований або до крайової області об’єму моно-Si або до об’єму шару епі-Si і утворення механічних напруг достатніх для генерації дефектів у шарі епімоно-Si не відбувається. При товщині епітаксійної плівки 3,0–4,0 мкм характеристики комплементарних транзисторів склали величини Uке >20 В и β ≥ 60. Додано в НРАТ 2026-02-09 Закрити