Search academic texts

Information × Registration Number 2115U001797, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2015 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40923 popup.publisher Сумський державний університет Description Для формування чутливих елементів датчиків магнітного поля було запропоновано використовувати метод пошарової конденсації у вакуумі Co і Cu товщиною окремих шарів від 1 до 20 нм та послідовністю в залежності від функціонального призначення готового чутливого елементу. Для швидкодіючих датчиків цифрового призначення доцільно формувати багатошарові наноструктури спін-вентильного типу «сендвіч» Co(4÷12 нм)/Сu(4÷8 нм)/Со(20 нм)/П (П – підкладка). popup.nrat_date 2025-05-12 Close