Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U001797, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Формування чутливого елементу датчика магнітного поля на основі Co і Cu Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40923 Видання Сумський державний університет Опис Для формування чутливих елементів датчиків магнітного поля було запропоновано використовувати метод пошарової конденсації у вакуумі Co і Cu товщиною окремих шарів від 1 до 20 нм та послідовністю в залежності від функціонального призначення готового чутливого елементу. Для швидкодіючих датчиків цифрового призначення доцільно формувати багатошарові наноструктури спін-вентильного типу «сендвіч» Co(4÷12 нм)/Сu(4÷8 нм)/Со(20 нм)/П (П – підкладка). Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити