Search academic texts

Information × Registration Number 2115U002105, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2015 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42934 popup.publisher Сумський державний університет Description У роботі представлено методику отримання плівки InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. В работе представлена методика получения пленки InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленок InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий травления. The paper presents a technique to obtain InN films on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. According to the results of the Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns depending on the etching conditions. popup.nrat_date 2025-05-12 Close