Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U002105, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42934 Видання Сумський державний університет Опис У роботі представлено методику отримання плівки InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. В работе представлена методика получения пленки InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленок InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий травления. The paper presents a technique to obtain InN films on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. According to the results of the Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns depending on the etching conditions. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити