Search academic texts

Information × Registration Number 2116U001721, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2016 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45773 popup.publisher Сумський державний університет Description Власні оксиди (ВО) напівпровідників дуже широко застосовують в електронних компонентах. Низька густина обірваних звязків на ван-дер-Ваальсовій поверхні шаруватого кристалу InSe дозволяє формувати високоякісні плівки ВО уникаючи традиційних процесів шліфування, полірування і травлення та створювати ефективні фотоперетворювачі (ФП). Якщо раніше вивчався вплив опромінення на InSe чи структури на його основі, то метою даної роботи є дослідження радіаційної стійкості (РС) саме плівки ВО селеніду індію, як компоненти ФП власний оксид-ІnSe. popup.nrat_date 2025-05-12 Close