Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U001721, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Радіаційна стійкість плівок власного оксиду InSe Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45773 Видання Сумський державний університет Опис Власні оксиди (ВО) напівпровідників дуже широко застосовують в електронних компонентах. Низька густина обірваних звязків на ван-дер-Ваальсовій поверхні шаруватого кристалу InSe дозволяє формувати високоякісні плівки ВО уникаючи традиційних процесів шліфування, полірування і травлення та створювати ефективні фотоперетворювачі (ФП). Якщо раніше вивчався вплив опромінення на InSe чи структури на його основі, то метою даної роботи є дослідження радіаційної стійкості (РС) саме плівки ВО селеніду індію, як компоненти ФП власний оксид-ІnSe. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Радіаційна стійкість плівок власного оксиду InSe
Радіаційна стійкість плівок власного оксиду InSe : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U001721
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22


Роздрукувати цю сторінку