Registration Number
2116U010481, Article
popup.category
Стаття
Title
Noise model of field-effect transistors for predicting their reliability by low-frequency noise level
popup.author
Кичак В. М.
Михалевський Д. В.
Крупський О. В.
Kychak V. M.
Mykhalevskiy D. V.
Krupskyi O. V.
popup.publication
19-01-2016
popup.source_user
Вінницький національний технічний університет
popup.source
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4452
popup.publisher
Вінницький національний технічний університет
Description
У статті проаналізовано внутрішні шуми польових транзисторів, а також запропоновано шумову модель із врахуванням елементів схеми вмикання. Проведено дослідження залежності шумової напруги польового транзистора від режиму роботи та визначено області допустимих значень шумової напруги, в межах якої польовий транзистор є надійним.
popup.nrat_date
2026-11-04