Search academic texts

Information × Registration Number 2117U002164, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2017 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64503 popup.publisher Сумский государственный университет Description Для современных оптических технологий требуются источники одиночных фотонов, работающие при комнатной температуре. Поэтому очень важным является направление исследований, связанное с изучением излучательной рекомбинации через внутризонные состояния в p-n структурах SiC. В частности, формирование точечных дефектов типа VSi позволяет реализовать состояние доминирования прямых оптических переходов в процессах рекомбинации носителей заряда через энергетические уровни дефектов. popup.nrat_date 2025-05-12 Close