Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U002164, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Формирование внутренних дефектов в p-n структурах SiC для перспективных источников одиночных фотонов Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64503 Видання Сумский государственный университет Опис Для современных оптических технологий требуются источники одиночных фотонов, работающие при комнатной температуре. Поэтому очень важным является направление исследований, связанное с изучением излучательной рекомбинации через внутризонные состояния в p-n структурах SiC. В частности, формирование точечных дефектов типа VSi позволяет реализовать состояние доминирования прямых оптических переходов в процессах рекомбинации носителей заряда через энергетические уровни дефектов. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити