Search academic texts

Information × Registration Number 2118U002073, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2018 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70759 popup.publisher Сумський державний університет Description В роботі наведені результати системного експериментального дослідження методами: дифракції повільних електронів (ДПЕ), скануючої тунельної мікроскопії та скануючої тунельної спектроскопії (СТМ/СТС), а також атомно силової мікроскопії та спектроскопії (АСМ/АСС), з врахуванням їх унік а- льних можливостей всестороннього, глибокого аналізу поверхонь шаруватих кристалів (ШК) In4Se3. Системне дослідження наноструктурованих напівпровідникових анізотропних матриць – поверхонь сколювання (ПС) (100) ШК In4Se3 проведено з метою їх використання для одержання наносистем на основі їх ПС. Досліджено вплив дефектів різної природи (точкових, лінійних, макродефектів) міжша- рових (ПС) (100) ШК In4Se3 на їх топографію та локальну густину поверхневих електронних станів (ЛГПЕС), а також на їх електронно-енергетичну структуру. Встановлено, що для всіх ШК із різною концентрацією дефектів має місце їх значний вплив на ЛГПЕС та електронно-енергетичну структуру міжшарових ПС. Показані унікальні експериментальні можливості СТМ/СТС, АСМ/АСС щодо дослі- дження топографії ПС, поряд з одержаними, з їх використанням, широкого ряду результатів спектро- скопії анізотропних наноструктурованих ПС (100) напівпровідникових ШК In4Se3. popup.nrat_date 2025-03-24 Close