Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2118U002073, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70759 Видання Сумський державний університет Опис В роботі наведені результати системного експериментального дослідження методами: дифракції повільних електронів (ДПЕ), скануючої тунельної мікроскопії та скануючої тунельної спектроскопії (СТМ/СТС), а також атомно силової мікроскопії та спектроскопії (АСМ/АСС), з врахуванням їх унік а- льних можливостей всестороннього, глибокого аналізу поверхонь шаруватих кристалів (ШК) In4Se3. Системне дослідження наноструктурованих напівпровідникових анізотропних матриць – поверхонь сколювання (ПС) (100) ШК In4Se3 проведено з метою їх використання для одержання наносистем на основі їх ПС. Досліджено вплив дефектів різної природи (точкових, лінійних, макродефектів) міжша- рових (ПС) (100) ШК In4Se3 на їх топографію та локальну густину поверхневих електронних станів (ЛГПЕС), а також на їх електронно-енергетичну структуру. Встановлено, що для всіх ШК із різною концентрацією дефектів має місце їх значний вплив на ЛГПЕС та електронно-енергетичну структуру міжшарових ПС. Показані унікальні експериментальні можливості СТМ/СТС, АСМ/АСС щодо дослі- дження топографії ПС, поряд з одержаними, з їх використанням, широкого ряду результатів спектро- скопії анізотропних наноструктурованих ПС (100) напівпровідникових ШК In4Se3. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити