Search academic texts

Information × Registration Number 2120U003882, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2020 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79040 popup.publisher Сумський державний університет Description Робота викладена на 36 сторінках, у тому числі включає 14 рисунків, 5 таблиць, список цитованої літератури із 38 джерел та додатків. Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є структурні моделі кремнієвих 3D транзисторів типу FinFET та Nanowire FET та електронні процеси в них. Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування, температури та нанорозмірних ефектів у каналах кремнієвих 3D транзисторів типу FinFET із затвором Tri-Gate та Nanowire FET із затвором Gate-All-Around на їх робочі характеристики. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд характеристик та сучасних технологій 3D проєктування елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядаються методи побудови структур польових транзисторів в рамках технології SOI (Silicon-On-Insulator) та їх вольт-амперних характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були успішно спроєктовані структурні моделі SOI TG FinFET та SOI GAA Nanowire FET та досліджені на вплив масштабування, температури та нанорозмірних ефектів у каналах на їх робочі характеристики popup.nrat_date 2025-05-12 Close