Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2120U003882, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Приладно-технологічне моделювання елементів інтегральних мікросхем Автор Дата публікації 01-01-2020 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79040 Видання Сумський державний університет Опис Робота викладена на 36 сторінках, у тому числі включає 14 рисунків, 5 таблиць, список цитованої літератури із 38 джерел та додатків. Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є структурні моделі кремнієвих 3D транзисторів типу FinFET та Nanowire FET та електронні процеси в них. Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування, температури та нанорозмірних ефектів у каналах кремнієвих 3D транзисторів типу FinFET із затвором Tri-Gate та Nanowire FET із затвором Gate-All-Around на їх робочі характеристики. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд характеристик та сучасних технологій 3D проєктування елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядаються методи побудови структур польових транзисторів в рамках технології SOI (Silicon-On-Insulator) та їх вольт-амперних характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були успішно спроєктовані структурні моделі SOI TG FinFET та SOI GAA Nanowire FET та досліджені на вплив масштабування, температури та нанорозмірних ефектів у каналах на їх робочі характеристики Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити