Search academic texts

Information × Registration Number 2123U002513, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author Шпиченко Владислав Сергійович popup.publication 01-01-2023 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/59615 popup.publisher Київ Description Об’єкт дослідження - напівпровідниковий матеріал арсенід алюмінія-галія AlGaAs. Предмет дослідження - часи релаксації імпульсу та рухливість електронів у потрійній сполуці AlxGa1-xAs. Мета роботи - дослідження температурної залежності дрейфової рухливості електронів у AlxGa1-xAs. Відповідно до обраної мети в першому розділі було наведено опис загальних властивостей і характеристик матеріалу. А саме, структура кристалічної ґратки, опис дисперсійних характеристик, технології виробництва та застосування. У другому розділі було обрано апроксимації для розрахунку вихідних параметрів AlxGa1-xAs при x = 0.26. Описано та розраховано фононні та домішкові види розсіювання. Змодельовано та проаналізовано механізм повного розсіювання для дрейфової та холлівської рухливостей. В третьому розділі було отримано графіки залежностей дрейфової та холлівської рухливостей. Проведено аналіз та порівняно із експериментом. popup.nrat_date 2025-01-29 Close