Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2123U002513, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Дослідження транспортних властивостей електронів в сполуках AlxGa1-xAs у слабкому електричному полі Автор Шпиченко Владислав Сергійович Дата публікації 01-01-2023 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/59615 Видання Київ Опис Об’єкт дослідження - напівпровідниковий матеріал арсенід алюмінія-галія AlGaAs. Предмет дослідження - часи релаксації імпульсу та рухливість електронів у потрійній сполуці AlxGa1-xAs. Мета роботи - дослідження температурної залежності дрейфової рухливості електронів у AlxGa1-xAs. Відповідно до обраної мети в першому розділі було наведено опис загальних властивостей і характеристик матеріалу. А саме, структура кристалічної ґратки, опис дисперсійних характеристик, технології виробництва та застосування. У другому розділі було обрано апроксимації для розрахунку вихідних параметрів AlxGa1-xAs при x = 0.26. Описано та розраховано фононні та домішкові види розсіювання. Змодельовано та проаналізовано механізм повного розсіювання для дрейфової та холлівської рухливостей. В третьому розділі було отримано графіки залежностей дрейфової та холлівської рухливостей. Проведено аналіз та порівняно із експериментом. Додано в НРАТ 2025-01-29 Закрити