Search academic texts

Information × Registration Number 2124U003253, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2024 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96904 popup.publisher Sumy State University Description Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 623 К тонких напівпровідникових феритових плівок n-NiFe2O4 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника nInSe для створення фоточутливих гетероперехолів n-NiFe2O4/n-InSe. За температурною залежністю прямих і зворотних вольт-амперних характеристик встановлено механізми протікання струмів крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу n-NiFe2O4/n-InSe в діапазоні енергії 1.26÷3.2 еВ. The conditions of application thin semiconducting ferrite NiFe2O4 films on n-InSe crystalline layered semiconductor substrates at a temperature of 623 K by the spray-pyrolysis method for the creation of photosensitive n-NiFe2O4/n-InSe heterojunctions were studied. The mechanisms of current flow through the heterojunction were established based on the temperature dependence of forward and reverse I-V characteristics. The spectral photosensitivity of the n-NiFe2O4/n-InSe heterojunction in the energy range of 1.26÷3.2 eV was analyzed. popup.nrat_date 2025-03-24 Close