Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2124U003253, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Electrical and Photoresponse Properties of NiFe2O4/InSe Heterojunction Автор Дата публікації 01-01-2024 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96904 Видання Sumy State University Опис Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 623 К тонких напівпровідникових феритових плівок n-NiFe2O4 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника nInSe для створення фоточутливих гетероперехолів n-NiFe2O4/n-InSe. За температурною залежністю прямих і зворотних вольт-амперних характеристик встановлено механізми протікання струмів крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу n-NiFe2O4/n-InSe в діапазоні енергії 1.26÷3.2 еВ. The conditions of application thin semiconducting ferrite NiFe2O4 films on n-InSe crystalline layered semiconductor substrates at a temperature of 623 K by the spray-pyrolysis method for the creation of photosensitive n-NiFe2O4/n-InSe heterojunctions were studied. The mechanisms of current flow through the heterojunction were established based on the temperature dependence of forward and reverse I-V characteristics. The spectral photosensitivity of the n-NiFe2O4/n-InSe heterojunction in the energy range of 1.26÷3.2 eV was analyzed. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити