Search academic texts

Information × Registration Number 2124U009166, Article popup.category Опубліковано, Стаття Title FEATURE OF MAGIC METAL NANOCLUSTERS IN MOLECULAR TRANSISTOR popup.author Погосов В.В.Васютин Є.В.Бабич А.В.Pogosov V. V.Vasyutin E. V.Babich A. V. popup.publication 26-09-2024 popup.source_user Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка") popup.source https://ric.zp.edu.ua/article/view/312200 popup.publisher National University "Zaporizhzhia Polytechnic" Description Теоретично досліджені ефекти зарядки й одноелектронного тунелювання в структурі на кластері. У рамках моделі нескінченної потенційної ями для сферичних і дискообразних золотих кластерів обчислені електронний спектр і температурна залежність хімічного потенціалу. Різниця між хімічними потенціалами масивних електродів і острівців приводить до зарядки останніх. Ми показуємо, що ефективний залишковий заряд не дорівнює цілому значенню заряду електрона e й залежить від форми кластера. Рівняння для аналізу вольт-амперної характеристики використовуються з урахуванням обмежень, пов'язаних з кулоновською нестійкістю кластера. Для одноелектронних молекулярних транзисторів обчислені немонотонні розмірні залежност і струмової щілини і її асиметрія по напрузі. Ми припускаємо, що перегрів електронної підсистеми приводить до зникнення струмової щілини й поступового згладжування вольт-амперних характеристик, що спостер ігається в експериментах. popup.nrat_date 2026-02-12 Close