Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2124U009166, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Опубліковано, Стаття Назва роботи ОСОБЛИВОСТІ МАГІЧНИХ МЕТАЛЕВИХ НАНОКЛАСТЕРІВ У МОЛЕКУЛЯРНОМУ ТРАНЗИСТОРІ Автор Погосов В.В.Васютин Є.В.Бабич А.В.Pogosov V. V.Vasyutin E. V.Babich A. V. Дата публікації 26-09-2024 Постачальник інформації Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка") Першоджерело https://ric.zp.edu.ua/article/view/312200 Видання National University "Zaporizhzhia Polytechnic" Опис Теоретично досліджені ефекти зарядки й одноелектронного тунелювання в структурі на кластері. У рамках моделі нескінченної потенційної ями для сферичних і дискообразних золотих кластерів обчислені електронний спектр і температурна залежність хімічного потенціалу. Різниця між хімічними потенціалами масивних електродів і острівців приводить до зарядки останніх. Ми показуємо, що ефективний залишковий заряд не дорівнює цілому значенню заряду електрона e й залежить від форми кластера. Рівняння для аналізу вольт-амперної характеристики використовуються з урахуванням обмежень, пов'язаних з кулоновською нестійкістю кластера. Для одноелектронних молекулярних транзисторів обчислені немонотонні розмірні залежност і струмової щілини і її асиметрія по напрузі. Ми припускаємо, що перегрів електронної підсистеми приводить до зникнення струмової щілини й поступового згладжування вольт-амперних характеристик, що спостер ігається в експериментах. Додано в НРАТ 2026-02-12 Закрити