Search academic texts

Information × Registration Number 2125U004373, Article popup.category Стаття, Опубліковано Title GENERATION OF SURFACE OSCILLATIONS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY CHARGED PARTICLE FLOWS popup.author Серков О. А.Бреславець В. С.Бреславець Ю. В.Яковенко І. В.Serkov O. A.Breslavets V. S.Breslavets Yu. V.Yakovenko I. V. popup.publication 12-03-2025 popup.source_user Національний університет «Полтавська політехніка імені Юрія Кондратюка» popup.source https://journals.nupp.edu.ua/sunz/article/view/3699 popup.publisher Національний університет «Полтавська політехніка імені Юрія Кондратюка» Description Результати роботи визначають рівень впливу потоків заряджених частинок, наведених зовнішнім електромагнітним випромінюванням, на робочі характеристики засобів зв'язку. Мета статті – визначення умов розвитку гідродинамічних нестійкостей електростатичних коливань у пристроях систем зв'язку, що містять напівпровідникові шари, оточені середовищами з різними електромагнітними властивостями. The following results are obtained: Запропоновано механізм виникнення та розвитку нестійкостей поверхневих електростатичних коливань (плазмонів), в умовах, коли взаємодія електромагнітних коливань та потоку заряджених частинок, створюваних зовнішнім електромагнітним випромінюванням, забезпечується наявністю кордону. Визначено специфічні особливості трансформації спектральних характеристик енергії перехідного випромінювання, пов'язані з наявністю межі поділу середовищ з різними електромагнітними властивостями у радіофізичних системах відкритого типу. Розроблено новий фізичний механізм генерації та посилення поверхневих електромагнітних коливань потоками заряджених частинок, характеристики яких визначаються властивостями межі розділу твердих тіл, що проводять. Conclusion. Отримані в роботі критерії виникнення та розвитку нестійкостей поверхневих плазмонів, пов'язані з нерівноважністю електронних систем, реалізуються у твердих тілах, що проводять. Тому вони можуть бути використані при розробці активних пристроїв напівпровідникової електроніки, призначених для посилення, генерування та перетворення електромагнітних коливань міліметрового та субміліметрового діапазонів. Проведений у роботі порівняльний аналіз інкрементів пучково-плазмових нестійкостей різних гілок електростатичних коливань при русі потоку частинок за нормаллю або вздовж межі розділу середовищ, дозволяє вирішувати завдання оптимізації існуючих механізмів посилення коливань у структурах, що використовуються в сучасній радіофізиці (МДП, МОП, різних p-n переходів). popup.nrat_date 2026-04-19 Close