Registration Number
2125U010445, Article
popup.category
Бакалаврська робота
Title
popup.author
Троян Р.О.
popup.publication
24-06-2025
popup.source_user
Сумський державний університет
popup.source
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99312
popup.publisher
Сумський державний університет
Description
Аналіз кристалічної структури є фундаментальним для забезпечення
якості, інноваційності та конкурентоспроможності сучасної електронної
продукції. У контексті стрімкого розвитку електронних пристроїв - від гнучкої
електроніки до квантових комп’ютерів - актуальність дослідження кристалічної структури зростає. Це дозволяє не лише підвищити ефективність і довговічність виробів, а й відкриває шлях до створення принципово нових функціональних матеріалів з наперед заданими властивостями.
Мета кваліфікаційної роботи полягає у проведенні аналізу функціональних можливості програмних засобів та ефективності їх практичного застосування для аналізу кристалічної структури матеріалів, що застосовуються в електроніці. Досліджуванні зразки [Fe(5)/I(3)]10/П, де I = SiO2, HfO2 та MgO, отримувалися методом пошарового магнетронного осадження на керамічні підкладки за кімнатної температури. Для аналізу топології поверхні тонкоплівкових резистивних матеріалів був використаний метод атомно-силової мікроскопії (АСМ), який дозволяє отримати зображення поверхні у топографічному та профільному (3D зображення) режимах (прилад Dimension Edge компанії Bruker). Для обробки мікрознімків, отриманих методом АСМ була використане програмне забезпечення Nanoscope Analysis. Показано, що структурні шорсткість поверхонь досліджуваних зразків залежить від типу обраного діелектричного матеріалу.
popup.nrat_date
2026-09-18
