Search academic texts

Information × Registration Number 2196U000064, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-1996 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1004 popup.publisher Description The tension resistive effect in polyctystalline (Cr, Ni, Cr/Ni), amorphous, and high-dispersed (Ge) films under deformation conditions of tension and compression is investigated. The symmetric character of deformation dependence for such films may be explained by the change of electric current carriers` concentration (for the Cr, Ni, Cr/Ni, and a-Ge films) or forbidden band gap (for the a-Ge film). Изучен тензорезистивный эффект в поликристаллических (Cr, Ni, Cr/Ni), аморфных и высокодисперсных (Ge) пленках в условиях деформации на растяжение и сжатие. Симметричный характер деформационной зависимости для исследованных пленок можно объяснить в терминах изменения концентрации носителей электрического тока (в случае Cr, Ni, Cr/Ni и a-Ge) и ширины запрещенной зоны (в случае a-Ge). // Укр. версія: Вивчено тензорезистивний ефект в полікристалічних (Cr, Ni, Cr/Ni), аморфних та високодисперсних (Ge) плівках в умовах деформації на розтяг і стиснення. Симетричний характер деформаційної залежності для досліджених плівок можна пояснити зміною концентрації носіїв електричного струму (у випадку Cr, Ni, Cr/Ni та a-Ge) та ширини забороненої зони (у випадку a-Ge). При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1004 popup.nrat_date 2025-05-12 Close