Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2196U000064, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Тензорезистивный эффект в тонких пленках Cr, Ni, Cr/Ni и Ge Автор Дата публікації 01-01-1996 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1004 Видання Опис The tension resistive effect in polyctystalline (Cr, Ni, Cr/Ni), amorphous, and high-dispersed (Ge) films under deformation conditions of tension and compression is investigated. The symmetric character of deformation dependence for such films may be explained by the change of electric current carriers` concentration (for the Cr, Ni, Cr/Ni, and a-Ge films) or forbidden band gap (for the a-Ge film). Изучен тензорезистивный эффект в поликристаллических (Cr, Ni, Cr/Ni), аморфных и высокодисперсных (Ge) пленках в условиях деформации на растяжение и сжатие. Симметричный характер деформационной зависимости для исследованных пленок можно объяснить в терминах изменения концентрации носителей электрического тока (в случае Cr, Ni, Cr/Ni и a-Ge) и ширины запрещенной зоны (в случае a-Ge). // Укр. версія: Вивчено тензорезистивний ефект в полікристалічних (Cr, Ni, Cr/Ni), аморфних та високодисперсних (Ge) плівках в умовах деформації на розтяг і стиснення. Симетричний характер деформаційної залежності для досліджених плівок можна пояснити зміною концентрації носіїв електричного струму (у випадку Cr, Ni, Cr/Ni та a-Ge) та ширини забороненої зони (у випадку a-Ge). При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1004 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити