Search academic texts

Head: Yukhymchuk Volodymyr O.. Deformation engineering of the electronic structure of GeSn thin films for new generation IR optoelectronics. (popup.stage: Розробка методики формування GeSn плівок на Si та Ge підкладки методом іонної імплантації). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U004320

Head: Kladko Vasyl P.. Diffraction in the field of anomalous dispersion of X-rays: New opportunities in the diagnosis of nanostructures. (popup.stage: Дифракція в області аномальної дисперсії Х-променів: Нові можливості в діагностиці наноструктур). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U002813

Head: Vihilianska Nataliia V.. Research of physical and chemical processes of forming of gas-thermal and magnetron coatings on the basis of triple carbides of Ti and Cr, that contain the МАХ phases and development of scientific bases of receipt of new coatings with enhanceable functional properties. (popup.stage: Дослідження фізико-хімічних процесів формування газотермічних і магнетронних покриттів на основі потрійних карбідів Ti і Cr, що містять МАХ-фази, та розробка наукових основ отримання нових покриттів з підвищеними функціональними властивостями). E.O. Paton Electric Welding Institute (PWI). № 0225U002095

Head: Yukhymchuk Volodymyr O.. Deformation engineering of the electronic structure of GeSn thin films for new generation IR optoelectronics. (popup.stage: Розробка методики магнетронного осадження GeSn плівок на Si та Ge підкладки при варіюванні в них вмісту Sn). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0224U032996

Head: Melnyk Viktor P.. Creation of basic technologies for the formation of semiconductor materials and structures for Nano - and optoelectronics. (popup.stage: Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0224U002739