Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0116U006421, ( 0216U008128  0216U007542  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Оксидні матеріали з високою діелектричною сталою, що містять нанокластери кремнію або германію, для застосування в мікроелектроніці та фотоніці Керівник роботи Хоменкова Лариса Юріївна, Дата реєстрації 01-06-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Встановлення природи фізичних процесів, які відбуваються при термічному розпаді Si(Ge)-HfO2 та Si(Ge)-Al2O3 твердих розчинів, з'ясування механізмів формування Si і Ge нанокластерів та нанокристалів в оксидних матрицях з високою діелектричною сталою та визначення технологічних підходів для контролю за структурними, оптичними та електричними властивостями таких матеріалів для застосування в приладах мікро- і фотоелектроніки. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити