Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U004719, 0107U006518 , Науково-дослідна робота Назва роботи 14.02/011Процеси самоорганізації при епітаксійному вирощуванні наноструктур А3В5 у порах оксиду алюмінію та оптоелектронні властивості отриманих структур Назва етапу роботи Керівник роботи Осінський Володимир Іванович, Дата реєстрації 15-12-2008 Організація виконавець Державне підприємство "Науково-дослідний інститут мікроприладів" НТК "Інститут монокристалів" НАН України Опис етапу Проведені дослідження показали, що найбільш перспективним режимом для формування пористих матриць анодованого оксиду алюмінію з регулярними нерозгалуженими порами є гальваностатичний режим. Відпрацьовані режими селективного епітаксійного росту для ефективного заповнення пор Al2O3 наноструктурованою фазою нітриду галію. Оптичні властивості отриманих наносистем відрізняються по площині: поверхня при збудженні складається з відносно яскравих ділянок з високою інтенсивністю люмінесценції, яка відповідає міжзонним переходам у нітриді галію (вузька смуга 3,46 еВ), що розділяються темними регіонами (два піки 3,43 еВ та 3,25 еВ, які можуть бути пов'язані з кристалічними дефектами та дислокаціями невідповідності). Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити