Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U003556, 0108U006469 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фотоелектричні та дифузійні процеси у варізонних шарах CdHgTe Назва етапу роботи Керівник роботи Стахіра Йосип Михайлович, Дата реєстрації 09-02-2010 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Об'єкт дослідження: варізонні епітаксійні шари кадмій-ртуть-телур, фотодіодні та фоторезистивні ФЧЕ на їх основі, фотоелектричні та дифузійні процеси в цих структурах. Метод дослідження: математичне моделювання фотоелектричних та дифузійних процесів у варізонних напівпровідниках, вивчення особливостей дифузії в CdHgTe при легуванні елементами V групи, модифікація властивостей епітаксійних шарів використовуючи іонне травлення різних типів та створення ФЧЕ, використовуючи розроблені методики. В результаті виконання НДР розроблено та оптимізовано технологію легування і модифікації властивостей варізонних епітаксійних шарів CdHgTe, досліджено дифузійні профілі одержаних варізонних структур. Теоретично досліджено особливості спектральних залежностей фотовольтаїчного ефекту та фотопровідності у варізонних шарах CdHgTe. Показана можливість використання одержаних результатів для визначення градієнта ширини забороненої зони, рекомбінаційних параметрів матеріалу. Формування оптимальних ВАХ фотодіодних структур з неоднорідністю ширини забороненої зони характеризується, в основному, зменшенням зворотніх струмів та впливом на механізми їх виникнення. Введення широкозонного шару в базову область гетероструктури суттєво знижує темнові струми ФЧЕ і може створити умови для прояву від'ємного диференційного опору. Наявність внутрішнього квазіелектричного поля в цих структурах приводить до росту динамічного опору p-n-переходів, збільшення квантової ефективності фотоперетворення в короткохвильовій області та розширення області спектральної чутливості. Проаналізовано вплив просторової неоднорідності забороненої зони на внутрізонну фотопровідність з врахуванням ефекту захоплення носіїв заряду фотонами та можливі шляхи покращення чутливості резистивних ФЧЕ. Використовуючи методи іонного травлення досліджено процеси модифікації властивостей епітаксійних шарів CdHgTe з метою реалізації прогнозованих ефектів в ФЧЕ та створені дослідні зразки багатоелементних фотодіодних та фоторезистивних ІЧ детекторів. Опис продукції Досліджено фізичні процеси, що відбуваються при формуванні фоточутливих структур CdHgTe з метою пошуку шляхів покращення їх характеристик та реалізації фізико-технологічних підходів, придатних для розробки на основі варізонних структур CdHgTe високоефективних ІЧ фотоприймачів з якісно новими властивостями. На основі комплексного теоретичного та експериментального дослідження взаємозв'язаних порцесів дифузії легуючих домішок і взаємодифузії основних компонентів з врахуванням впливу внутрішнього квазіелектричного поля в твердому розчині CdHgTe встановлено особливості фотоелектричних явищ в цьому матеріалі. Досліджено механізми дифузії та активації домішок V групи в твердих розчинах CdHgTe та ідентифіковано власні точкові дефекти відповідальні за ці процеси. Встановлено вплив градієнта ширини забороненої зони на формування електричних і фотоелектричних параметрів епітаксійних структур та створено фоточутливі елементи на їх основі з використанням розроблених технологій. Автори роботи Галій Павло Васильович Зоренко Тетяна Євгенівна Лозинська Марія Іванівна Писаревський Володимир Костянтинович Сімків Богдан Олексійович Соколовський Богдан Степанович Стахіра Роман Йосипович Сторчун Ольга Петрівна Фіцич Олена Іванівна Шевченко Ганна Віталіївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити