Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U000429, 0109U006141 , Науково-дослідна робота Назва роботи Моделювання транспорту носіїв заряду та дослідження дефектів в органічних напівпровідниках. Назва етапу роботи Керівник роботи Кадащук Андрій Костянтинович, Дата реєстрації 07-02-2011 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу В наближенні ефективного середовища вперше побудована аналітична модель транспорту заряду в розупорядкованих матеріалах, котра адекватно описує температурну, концентраційну та польову залежності рухливості включаючи діапазон високих концентрацій носіїв заряду характерний для органічних польових транзисторів (ОПТ), а також обґрунтовує правило Мейера-Нелделя, яке виконується для рухливості носіїв заряду в ОПТ. В межах моделі виведені компактні вирази для параметрів матеріалу та ефективної концентрації носіїв заряду в каналі ОПТ, і розраховані їх значення для ряду перспективних органічних сполук. Дослідження рухливості носіїв заряду в ОПТ на основі фулерену (C60) дозволило не тільки перевірити модель та отримати основні матеріальні параметри, але й встановити їх зв'язок з морфологією та технологічними умовами росту плівок, і, в результаті, досягти рекордних для ОПТ значень рухливості. Було запропоновано використовувати енергію Мейера-Нелделя в якості критерію оптимізації ОПТ і селекції функціональних матеріалів. Дослідження методом АСМ поверхні тонких плівок рубрену, які вирощувались епітаксією з гарячими стінками на кристалах слюди, виявило чітку залежність їх морфології від технологічних параметрів, насамперед часу нанесення і температури підкладки. Дослідження фотолюмінесценції (ФЛ) плівок та мікрокристалів рубрену в широкому температурному діапазоні свідчать про екситонну природу випромінювання в цих об'єктах і демонструють залежність екситонних ефектів (спектральна дифузія, температурне гасіння ФЛ) від морфології плівки. За допомогою термічно стимульованої люмінесценції та ФЛ було доказано, що концентрація дефектів та неконтрольованих домішок в усіх зразках мала, а пасткові стани для носіїв заряду і екситонів в тих плівках рубрену, які складаються зі сферолітів, не пов'язані з продуктами окислення речовини, а обумовлені специфічним дефектом структурного походження. Опис продукції В наближенні ефективного середовища розвинена аналітична модель стрибкового транспорту носіїв заряду в розупорядкованих матеріалах, яка дозволила: описати залежність рухливості від температури, електричного поля та концентрації носіїв заряду в органічних польових транзисторах (ОПТ); отримати компактні аналітичні вирази для розрахунку півширини функції розподілу густини станів гауссового типу, енергії Мейера-Нелделя та ефективної концентрації носіїв заряду в каналі ОПТ; розраховані параметри для ряду перспективних органічних матеріалів. Автори роботи Вахнін Олександр Юрійович Кадащук Андрій Костянтинович Скришевський Юрій Антонович Фіщук Іван Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити