Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004773, 0111U006528 , Науково-дослідна робота Назва роботи Грід-технології для проведення неруйнівного аналізу фізичних параметрів напівпровідникових структур та приладів нано-, мікро- і оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 25-01-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Був розроблений метод неруйнівної діагностики профілів концентрації та рухливості електронів вздовж росту n+/n0/n+-GaN діодних структур використовуючи аналіз форми смуг фонон плазмових змішаних мод (ФПЗМ). ФПЗМ моделювалися використовуючи самоузгоджувальну процедуру для підгонки експериментальних спектрів скануючої конфокальної раманівської спектроскопії, при якому враховувалося електро-оптичний деформаційний потенціал та флуктуації зарядових станів електронів при розсіюванні світла, використовуючи ГРІД-кластер ІФН НАН України (grid.semicond.kiev.ua). Це дозволило знайти просторовий розподіл концентрації вільних носіїв та їх рухливісті вздовж росту n+/n0/n+-GaN діодних структур та проводити дизайн електронно-оптичних надшвидкісних напівпровідникових діодів Ганна. Опис продукції Метод неруйнівної діагностики профілів концентрації та рухливості електронів вздовж росту n+/n0/n+-GaN діодних структур використовуючи аналіз форми смуг фонон плазмових змішаних мод (ФПЗМ). ФПЗМ моделювалися використовуючи самоузгоджувальну процедуру для підгонки експериментальних спектрів скануючої конфокальної раманівської спектроскопії, при якому враховувалося електро-оптичний деформаційний потенціал та флуктуації зарядових станів електронів при розсіюванні світла, використовуючи ГРІД-кластер ІФН НАН України. Автори роботи Брикса В.П. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити