Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U001663, 0111U006452 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізико-технологічних основ виготовлення компонентів наноелектронних АЗN-приладів для оптоелектроніки та НВЧ-техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 21-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу 1. Методами рентгенівської дифракції в роботі визначено деформаційний стан активної надрешітки (НР) та її окремих шарів, ступінь релаксації напружень, а також період, товщини шарів і склад твердого розчину AlxGa1?xN. Встановлено, що швидкості росту окремих шарів в значній мірі залежать від деформаційного стану системи - при збільшенні напружень збільшується швидкість росту. Таким чином, структурні і оптичні властивості НР в значній мірі визначаються процесами непружньої релаксації напружень, які, в свою чергу, супроводжуються змінами товщин, як ям, так і бар'єрів. Опис продукції Методами рентгенівської дифракції в роботі визначено деформаційний стан активної надрешітки (НР) та її окремих шарів, ступінь релаксації напружень, а також період, товщини шарів і склад твердого розчину AlxGa1?xN. Встановлено, що швидкості росту окремих шарів в значній мірі залежать від деформаційного стану системи - при збільшенні напружень збільшується швидкість росту. Таким чином, структурні і оптичні властивості НР в значній мірі визначаються процесами непружньої релаксації напружень, які, в свою чергу, супроводжуються змінами товщин, як ям, так і бар'єрів. Автори роботи Кладько Василь Петрович Конакова Раїса Василівна Кочелап Вячеслав Олександрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити