Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0215U003443, Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю понад 80 Лм/Вт

Керівник роботи

Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук

Дата реєстрації

30-01-2015

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис

Оптимізовано технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт. Визначено режими проведення іонної імплантації заліза в структурі GaN/Al2O3 з метою створення «стопорних» областей для запобігання розповсюдження дислокацій.

Опис продукції

Оптимізовано технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт. Визначено режими проведення іонної імплантації заліза в структурі GaN/Al2O3 з метою створення «стопорних» областей для запобігання розповсюдження дислокацій.