Реєстраційний номер
0215U003443,
0114U001970
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю понад 80 Лм/Вт
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
30-01-2015
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Оптимізовано технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт. Визначено режими проведення іонної імплантації заліза в структурі GaN/Al2O3 з метою створення «стопорних» областей для запобігання розповсюдження дислокацій.
Опис продукції
Оптимізовано технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт. Визначено режими проведення іонної імплантації заліза в структурі GaN/Al2O3 з метою створення «стопорних» областей для запобігання розповсюдження дислокацій.
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
