Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U008317, 0115U007185 , Науково-дослідна робота Назва роботи Новітні наноструктри для систем безпеки Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-12-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено вплив легування Mn на структурні, морфологічні, оптичні та магнітні властивості нанониток ZnO:Mn, вирощених методом гідротермального хімічного синтезу. Показано, що нанонитки мають гексагональну огранку з поперечним розміром, що зростає із вмістом Mn. Встановлено зменшення ширини забороненої зони нанониток зі зростанням концентрації Mn. Показано значну модифікацію коливних властивостей матриці ZnO при легуванні Mn. При високих концентраціях Mn виявлено співіснування вторинної фази кубічної шпінелі ZnMn2O4. Отримано чіткий контраст в магніто-силових зображеннях нанониток ZnO:Mn, що є свідченням феромагнетизму при кімнатній температурі. Теоретично розраховано густини коливних станів легованого Сo гексагонального ZnO. Показано, що наявність Co в ZnO призводить до появи додаткових коливних мод, частоти яких залежать від взаємного розміщення атомів Co. Теоретично розраховано магнітну структуру інтерфейсу Co3O4/ZnO, для якого встановлено формування магнітного шару. Опис продукції Основна ідея спінтроніки полягає у розробці електронних приладів, в яких інформація переноситься спіном електрону, а не його електричним зарядом. На сьогодні спінтронні прилади виготовляються на основі феромагнітних металевих шарів та ізоляторів. Багато досліджень на даний момент спрямовано на можливість використання добре розвинутої напівпровідникової технологічної бази (виготовлення якісних підкладок, вирощування епітаксійних шарів, тощо) для потреб спінтроніки. В якості активних магнітних шарів в такому випадку виступають напівпровідники, леговані атомами 3d перехідних металів. Важливою технічною умовою в даному випадку є уникнення швидкої спінової деполяризації. Серед напівпровідників для потреб спінтроніки найбільш перспективними є широкозонні напівпровідники зі структурою вюрциту (в основному ZnO та GaN), що пов'язано з низькою спін-орбітальною взаємодією в таких матеріалах, і як наслідок - малою швидкістю спінової деполяризації. На додаток, ці напівпровідники широко застосовуються в електроніці, о Автори роботи Бойко М.І. Коломис О.Ф. Купчак І.Б. Литвин П.М. Ніколенко А.С. Насєка В.М. Насєка Ю.М Стубров Ю.Ю. Циканюк Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити