Реєстраційний номер
0218U100070,
0116U001445
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Наноструктуровані напівпровідникові гетеропереходи та діоди Шоткі для електроніки, оптоелектроніки та сонячної енергетики
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Мар'янчук Павло Дмитрович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
22-12-2018
Організація виконавець
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Опис етапу
В роботі проведені дослідження умов одержання планарних та наноструктурованих гетеропереходів і діодів Шотткі, створених шляхом напилення тонких плівок графіту, металів та їх оксидів і нітридів на масиви кремнієвих нанодротів та напівпровідникових кристалів з модифікованою поверхнею CdTe, Cd1-хZnхTe, Hg3In2Te6 з заданими і відтворюваними електричними, фотоелектричними властивостями; розроблено метод неруйнуючої поляризаційно-фазової діагностики їх структури та метод визначення активної площі наноструктурованих поверхнево бар’єрних структур; встановлено закономірності протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах у залежності від конструктивних особливостей і технологічних процесів.
Опис продукції
Планарні та наноструктуровані гетеропереході і діоди Шотткі, створені шляхом напилення тонких плівок графіту, металів та їх оксидів і нітридів на масиви кремнієвих нанодротів та напівпровідникових кристалів з модифікованою поверхнею CdTe, Cd1-хZnхTe, Hg3In2Te6 з заданими і відтворюваними електричними, фотоелектричними властивостями.
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
