Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U100070, 0116U001445 , Науково-дослідна робота Назва роботи Наноструктуровані напівпровідникові гетеропереходи та діоди Шоткі для електроніки, оптоелектроніки та сонячної енергетики Назва етапу роботи Керівник роботи Мар'янчук Павло Дмитрович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 22-12-2018 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу  В роботі проведені дослідження умов одержання планарних та наноструктурованих гетеропереходів і діодів Шотткі, створених шляхом напилення тонких плівок графіту, металів та їх оксидів і нітридів на масиви кремнієвих нанодротів та напівпровідникових кристалів з модифікованою поверхнею CdTe, Cd1-хZnхTe, Hg3In2Te6 з заданими і відтворюваними електричними, фотоелектричними властивостями; розроблено метод неруйнуючої поляризаційно-фазової діагностики їх структури та метод визначення активної площі наноструктурованих поверхнево бар’єрних структур; встановлено закономірності протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах у залежності від конструктивних особливостей і технологічних процесів. Опис продукції Планарні та наноструктуровані гетеропереході і діоди Шотткі, створені шляхом напилення тонких плівок графіту, металів та їх оксидів і нітридів на масиви кремнієвих нанодротів та напівпровідникових кристалів з модифікованою поверхнею CdTe, Cd1-хZnхTe, Hg3In2Te6 з заданими і відтворюваними електричними, фотоелектричними властивостями. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити