Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U100308, 0119U102502 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кристалізація GaN на затравці методом температурного градієнту Назва етапу роботи Керівник роботи Румянцева Юлія Юріївна, Дата реєстрації 15-01-2020 Організація виконавець Інститут надтвердих матеріалів ім.В.М.Бакуля Національної академії наук України Опис етапу На основі літературних джерел обрано термодинамічні параметри вирощування монокристалів GaN та склад сплаву -розчинника Fe-Ga-N. Проведено експеременти, внаслідок яких встановлено, що температурний інтервал можливого росту структурно досконалих монокристалів GaN за тиску 4,4 ГПа становить 1400-1600 С. Опис продукції GaN - прямий широкозонний напівпровідник з шириною забороненої зони майже втричі вищою у порівнянні з традиційними кремнієвими елементами (3,4 еВ у порівнянні з 1,2 еВ) Автори роботи Cадова Юлія Іванівна Савіцький Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити